点击图片查看原图“电源产品后级英飞凌600V,1200V等IGBT单管”参数说明
| 结构形式： | IGBT | 结构工艺： | 合金管 |
| 安装方式： | 插件 | 材料： | 锗管 |
| 封装形式： | 金属封装 | 工作状态： | 饱和导通 |
| 封装： | TO-247 | 电压： | 600V |
| 包装： | 30PCS/管 | 电流： | 20A |
| 产量： | 100000 |
“电源产品后级英飞凌600V,1200V等IGBT单管”详细介绍
批号：13＋
材料：GE-P-FET锗P沟道
种类：绝缘栅（MOSFET）
类型：通信IC
型号：IKW20N60T
封装外形：CHIP/小型片状
品牌：INFINEON/英飞凌
用途：A/宽频带放大
沟道类型：N沟道
导电方式：增强型
封装：TO－247/TO-3P
材料：GE-P-FET锗P沟道
种类：绝缘栅（MOSFET）
类型：通信IC
型号：IKW20N60T
封装外形：CHIP/小型片状
品牌：INFINEON/英飞凌
用途：A/宽频带放大
沟道类型：N沟道
导电方式：增强型
封装：TO－247/TO-3P